激光剥离技术实现垂直结构GaN 基LED
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上传人：王婷 崔占忠 徐立新 上传时间： 2012-04-11 浏览次数： 47 |
为改善GaN 基发光二极管( Light??emitting diode, LED) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在KrF 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mJ/ cm2 的条件下, 将GaN 基LED 从蓝宝石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300?? 中将GaN 基LED 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的GaN 基LED, 并对其电学和光学特性进行了测试。结果表明: 在110mA 注入电流下, 垂直结构器件的开启电压由普通结构的3. 68V 降低到了3. 27V; 在560mA 注入电流下, 器件输出光功率没有出现饱和现象; 采用高电导率和高热导率的硅衬底能有效地改善GaN 基LED 的电学和光学特性。
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