p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响
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上传人：陶喜霞、王立、刘彦松、王光绪、江风益 上传时间： 2013-04-03 浏览次数： 108 |
| 作者 | 陶喜霞、王立、刘彦松、王光绪、江风益 |
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| 单位 | 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心 |
| 分类号 | TN312.8 |
| 发表刊物 | 《发光学报》 |
| 发布时间 | 2011年 |
摘要：利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(VLEDs),研究了p层厚度即p面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响,并采用F-P干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和1.01λn处取得第一个极大值和极小值,且前者是后者两倍多。因此优化p层厚度可以有效提高LED的出光效率。
1引言目前,商业化的InGaN/GaN基LED主要有同侧结构和垂直结构两大类。传统的同侧结构LED存在电流拥挤、电压高、散热困难等缺点[1],而垂直结构LED则可以有效地解决这些问题[2-4],成为大功率LED的发展趋势[5]。制作垂直结构LED需要去掉原生长衬底,在这方面Si衬底比蓝宝石衬底
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