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为了在p-gan上获得低电阻的欧姆接触，人们对具有高反射系数和平滑表面形貌优点的金属蒸镀方法进行了研究。
https://www.alighting.cn/resource/200858/V15509.htm2008/5/8 10:55:47
在si衬底gan基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
n 基蓝光led 制程的关键技术如金属有机物气相外延, p 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型gan欧姆接触。首先在掺硅的n型gan(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
本文首先综述了gan基材料的基本特性，分析了gan基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
对大功率gan基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）a为正极，以n型半导体b为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
https://www.alighting.cn/resource/20110704/127473.htm2011/7/4 11:16:05
