两步镀膜Ti/Al/Ti/Au的n型GaN欧姆接触研究
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上传人：管志斌、王立、江风益、叶建青 上传时间： 2013-09-24 浏览次数： 113 |
| 作者 | 管志斌、王立、江风益、叶建青 |
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| 单位 | 南昌大学材料科学研究所、南昌欣磊光电科技有限公司 |
| 分类号 | TN304 |
| 发表刊物 | 《功能材料与器件学报》 |
| 发布时间 | 2003年 |
1引言GaN基半导体材料近年来广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(LEDs),激光二极管(LDs)犤1-4犦。由于GaN有许多独特的物理性能,在制造探测器和高温大功率电子器件方面也有着广阔的应用前景犤5,6犦。要制作高性能的GaN器件,就必须得到n-型和p-型GaN可靠的低电阻欧姆
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