牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响
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上传人： 上传时间： 2013-09-03 浏览次数： 260 |
本文系统研究了Ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
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