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《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
多芯片封装发光二极管的技术是：即再一个器件内（可以是圆，方，矩，长条形，椭圆等几何形状）封装几十，几百，至上千个led芯片，封装的芯片可以是常用的8—15mil小芯片，也可以是0
https://www.alighting.cn/resource/20080624/128604.htm2008/6/24 0:00:00
可工作功率),单位光通量的成本和发光二极管可正常使用寿命.文章综述和分析了与芯片发光效率(或外量子效率)和单芯最大可发光通量(或最大可工作功率)相关的制造技术和相关物理问题。欢迎下
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1063.htm2010/1/18 14:18:53
本文通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/29/104737_35.htm2013/10/29 10:47:37
通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa 下点
https://www.alighting.cn/resource/20110604/127514.htm2011/6/4 22:12:37
发光二极管（led）是一种由磷化镓（gap）等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其
https://www.alighting.cn/resource/2007530/V12591.htm2007/5/30 15:26:15
检测单色发光二极管方式方法概要。
https://www.alighting.cn/resource/20061101/128943.htm2006/11/1 0:00:00
和半导体器件一样，发光二极管(led)早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分，是提高led可靠性的积极主动的方法。led失效分析步骤必须遵循先进行非破坏性、可逆、可重复的试验，再
https://www.alighting.cn/resource/200849/V15085.htm2008/4/9 11:39:48
系统地介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求。
https://www.alighting.cn/2013/2/22 13:45:34
《发光二极管(led)封装培训》主要内容：一、发光二极体(led)简介；二、led主要制程及物料；三、公司主要产品结构介紹；四、led主要光电参数简述；五、led优点。
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/18/181514_04.htm2011/7/18 18:15:14
