高压发光二极管(HV LED)芯片开发及产业化
|
上传人：董志江，靳彩霞 上传时间： 2013-10-29 浏览次数： 142 |
本文通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(HV LED) ，其产业化光效已超过 110lm/W;10μA 下点亮整体没暗区，体现出良好的电流扩展性;与传统 DC LED 相比，P-I-V(光输出功率-输入电流-正向压降)曲线趋势一致，输出光功率更集中且整体提高约 5mW， 发光效率提高约 10lm/W， 1000 小时持续点亮光衰小于 2%， 正装 HV LED具有与传统功率 DC LED 同样稳定可靠的光电性能，达到同类产品先进水平。
下载资料需要0灯币，如何得到灯币？
用户名： 密码：
