高压发光二极管(HV LED)芯片开发及产业化
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上传人：董志江 靳彩霞等 上传时间： 2011-06-20 浏览次数： 672 |
高压发光二极管(HV LED)芯片开发及产业化
通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(HV LED)，其产业化光效已超过110lm/W;10μA下点亮没有暗区，体现出良好的电流扩展性;与传统DC LED相比，P-I-V(光输出功率-输入电流-正向压降)曲线趋势一致，输出光功率更集中且整体提高约5mW，发光效率提高约10lm/W，1000小时持续点亮光输出功率衰减均小于2%，正装HV LED具有与传统功率DC LED同样稳定可靠的光电性能，达到同类产品先进水平。
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