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科锐推出50A碳化硅功率器件 实现低成本高能效

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2012-05-14 作者:LEDth 来源:新世纪LED网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 科锐将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列——50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700V Z-FET?碳化硅MOSFET器件,还包括1200V Z-FET?碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec?碳化硅肖特基二极管,能够提供创纪录的能效以及比传统技术更低的拥有成本,开创了新一代电源系统。

  科锐将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列——50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700V Z-FET™碳化硅MOSFET器件,还包括1200V Z-FET™碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec®碳化硅肖特基二极管,能够提供创纪录的能效以及比传统技术更低的拥有成本,开创了新一代电源系统。

  科锐全新产品系列50A碳化硅器件包括40mΩ1700V MOSFET器件、25mΩ1200V MOSFET器件以及50A/1700V、50A/1200V 和50A/650V肖特基二极管。该产品系列现已提供样品及基础数据表,预计2012年秋实现量产。

  科锐50A碳化硅功率器件采用裸芯片形式,针对太阳能功率逆变器、不间断电源设备以及电机驱动器等大功率模组应用进行设计。该类器件以更小的尺寸、更低的物料成本以及更高的效率使得电力电子工程师能够为系统拥有成本设定新的标准。

  科锐表示大尺寸的芯片能够实现更多的优势,使得碳化硅MOSFET器件能够使用在更高的功率应用中应用,从而能够取代在大功率、高电压应用领域中的低效传统硅IGBT器件。该系列高额定碳化硅器件的推出保持了科锐在碳化硅技术屡创第一的传统,如业界第一款1200V 碳化硅MOSFET器件以及第一个量产1200V和1700V碳化硅肖特基二极管。

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