2月5日，《纽约时报》刊登题为《美国对中国芯片雄心的担忧与日俱增》的文章，文章中称，“中国正投入巨资打造本国半导体产业，这一提升其军事力量及本土科技产业的举动引起华盛顿的注意”。而在2016年1月下旬，美国外商投资委员会否决了中国投资者以29亿收购飞利浦旗下子公司的照明业务的提议，就是美国政府担忧的具体体现。这早已不是第一次中资收购国外科技公司被美国政府阻扰，从早些年华为试图收购3COM，到去年紫光提出收购镁光被否决，中资在海外收购科技公司被行政力量阻挠已经屡见不鲜。

　　美国为何阻挠收购

　　美国政府要阻止的并非中国投资人所收购的照明业务本身，而是要阻止中国投资人通过收购飞利浦旗下子公司的照明业务后，进而掌握第三代半导体材料氮化镓的相关技术。

　　半导体材料发展至今已历三代：第一代半导体材料以锗和硅为代表，被广泛运用于集成电路制造领域;第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟为代表，主要应用于以光发射器件为基础的光显示、光通信和光存储等光电子系统;第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、金刚石为代表，具有具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、高熔点(1700摄氏度)、耐腐蚀等优点。特别是在传统材料的功率器件发展到材料极限，已经很难满足高频、高温、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情况下，氮化镓则可凭借其材料特性，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面取而代之。

　　氮化镓、碳化硅与硅的性能对比

　　也正是因此，诸多科技公司纷纷致力于氮化镓功率器件的研发和生产——2015年1月，富士通和美国Transphorm在会津若松量产氮化镓功率器件;2015年3月，松下和英飞凌达成共同开发氮化镓功率器件的协议;同月，东芝照明技术公司开发出在电源中应用氮化镓功率元件的卤素LED灯泡……国内也有中航微电子、中镓半导体等公司从事该领域的研发和生产，上海市政府则投入100亿资金用于半导体材料的研发(不局限于氮化镓)。

　　可以说，氮化镓已经全球半导体研究的前沿和热点。那么，“高大上”的第三代半导体材料是怎样和普普通通的电灯产生交集的呢?

　　由于氮化镓的优异材料特性——氮化镓基LED比传统LED外形更小、功率更高、发光度更强，使其在LED电视、显示器和普通照明领域获得大展拳脚的空间，而中国一旦完成对飞利浦旗下子公司Lumileds的控股，则有可能获得氮化镓方面的相关技术。

　　更关键的是，氮化镓在高频大功率应用方面，其功率密度是现有的砷化镓材料器件的10倍，不仅可以广泛运用于通信基站、电动机车、电动汽车、风力发电等民用领域，还可以用于相控阵雷达等特殊领域。

　　因此，无论是对半导体产业的发展，还是在军事应用方面，氮化镓都有非常重要的意义。美国政府之所以阻止中国投资人收购飞利浦旗下子公司的照明业务，既有出于技术在军事应用和国家安全方面的考虑，但更多的还是出于打压中国半导体产业发展，保持美国科技公司技术优势方面的考量。