13日，欧司朗光电半导体发布新闻稿表示，成功研发直接发光绿色氮化铟镓(InGaN) 激光，该款激光的光输出高达 50 mW，发射波长为 515 nm 的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比，直接发光绿色激光器体积更小，温度稳定性更高，调制能力更强，更易于控制。

　　欧司朗光电半导体突破氮化铟镓 (InGaN) 材料系统以往的局限性。在预开发阶段，欧司朗光电半导体即已采用氮化铟镓 (InGaN) 材料成功生产出首款光输出较高的直接发光绿色激光二极管。该款二极管可发射“真绿”光线，光谱范围介于515-535 nm 之间。在这个光谱范围内，目前市售的优质高效半导体激光器仅限于倍频版本。然而，从中期来看，直接发光绿色激光器可在众多应用中取代倍频激光器，因为相比之下，直接发光绿色激光器更易于控制，温度稳定性更高，体积更小，而且在数百兆赫时调制能力更强。

　　欧司朗光电半导体技术总监 Christian Fricke 博士表示，在脉冲模式下，实验室原型在室温下的光输出已达到 50 mW，阀值电流密度约为 9 kA/cm²。这台演示器足以证明，可以使用氮化铟镓 (InGaN) 生产绿色激光器。因此，欧司朗将着手开始生产具有成本效益的紧凑型高品质绿色激光光源。绿色激光器广泛应用于医疗和工业领域，也可用作移动迷你投影机的光源。采用直接发光绿色激光器，可使这类投影机的体积更小、性能更佳。目前，欧司朗光电半导体已推出商用蓝色氮化铟镓 (InGaN) 激光二极管。