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从LED工作原理可知，外延片材料是LED的核心部分，事实上，LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在，金属有
https://www.alighting.cn/news/20110314/91282.htm2011/3/14 9:20:04
LEDinside发表知识库新文章[LED外延片技术发展趋势及LED外延片工艺]
https://www.alighting.cn/news/20080324/93180.htm2008/3/24 0:00:00
全球深紫外LED器件和消毒系统解决方案领导者rayvio公司宣布实现深紫外LED的光功率性能记录。通过使用独特的深紫外LED外延技术，rayvio在单芯片0.15mm2发光面积
https://www.alighting.cn/news/20150604/129848.htm2015/6/4 9:51:51
在“2013新世纪LED高峰论坛”技术峰会iii“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上，华灿光电研发经理总裁助理王江波先生就“大电流应用下的LED外延与芯片关键技术研究”发
https://www.alighting.cn/news/20130610/88423.htm2013/6/10 14:21:06
中装入更多个衬底外延片生长，更加适合于规模化生产的技术，以降低成本;另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设
https://www.alighting.cn/news/2010531/V23876.htm2010/5/31 9:04:18
延片技术与设备是外延片制造技术的关键所在，金属有机物化学气相淀积(metal-organicchemicalvapordeposition，简称 mocvd)技术生长iii-v
https://www.alighting.cn/news/2009118/V21609.htm2009/11/8 15:37:27
2012年2月14日，2011年度国家科学技术奖励大会在北京隆重举行，大连美明外延片科技有限公司、中国科学院物理研究所、清华大学和大连路美芯片科技有限公司联合研发的《gan基蓝绿
https://www.alighting.cn/news/20120216/99936.htm2012/2/16 10:58:26
今天来探讨LED外延片的成长工艺，早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延
https://www.alighting.cn/news/20080703/91561.htm2008/7/3 0:00:00
由国家半导体照明工程攻关计划重大项目管理办公室主办的南昌高校大功率LED外延及芯片技术研讨班于近日举行。
https://www.alighting.cn/news/20040915/102746.htm2004/9/15 0:00:00
由国家半导体照明工程攻关计划重大项目管理办公室主办、国家新材料行业生产力促进中心承办的“高效大功率LED外延及芯片技术研讨班” 将于2004年9月15日—9月16日在南昌召开。
https://www.alighting.cn/news/20040826/102596.htm2004/8/26 0:00:00
