资料

大功率GaN基白光LED荧光层失效机理研究

上传人:LEDth/整理

上传时间: 2014-12-19

浏览次数: 66

作者 吴艳艳/冯士维/周 舟/魏光华
单位 北京工业大学电子信息与控制工程学院
分类号 TN383.1
发表刊物 激光与光电子学进展
发布时间 2012年6月

  1 引  言

  可靠性是影响发光二极管(LED)性能的主要因素。功率型LED 失效的原因主要是发光芯片的老化和封装材料性能的退化,结温和电流都会加速LED 的老化。在某些条件下长期服役,大功率白光LED 表面会形成一层黑色物质,影响光的取出,并带来产品可靠性的一系列问题。此前已发现蓝光LED 有同样的现象发生,实验表明大功率蓝光LED 芯片发出的蓝光会使封装芯片的环氧树脂胶(已固化出现老化的现象,降解后的环氧树脂胶内部结构发生明显改变,大量的C-O 键、C=O 键被打开(芯片工作时产生的高温会加速这一过程),形成游离的C、O 原子,最后沉积在芯片和胶水之间的界面上,产生黑区。

  目前,白光LED 的主流实现方式为蓝光芯片加上黄色荧光粉,通过蓝黄光的转化得到白光。荧光层的制作是通过将YAG 荧光粉(由Y2O3、Al2O3 反应生成的复合氧化物)与AB 胶(主要为有机硅树脂材料)混合,加入增亮剂、抗沉淀剂等,烘干后涂覆。由于大功率LED 在正常工作情况下结温可以高达100 ℃,而荧光层的热导率有限,致使荧光粉颗粒温度会相应升高,甚至高于芯片上的结温,引起波长的漂移、颜色不纯等一系列问题;再加上蓝光长时间照射,光热耦合作用不可忽视,使得在芯片与荧光层界面处的情况相对复杂。有机硅树脂相较于环氧树脂具有热稳定性好、耐紫外光性强和内应力小等优点,但以此作为配粉胶后,虽然白光LED 的寿命有了较大提高,但是光衰问题依然存在,而对以有机硅作为配粉胶的荧光层特性的研究相对缺乏。

  本文着重于大功率白光LED 表面变黑现象的分析。首先通过对变黑的位置确定和成分分析,判定失效模式,进而对引发失效的因素(包括温度和光照)进行实验分析。

  2 失效样品描述与测试

  在可靠性实验中,通常采用加速应力的方法,快速有效评价器件性能。在早期的高温、大电流和功率循环等一系列可靠性实验过程中,部分样品出现了类似的变黑现象。实验中所使用的样品是批量生产的,采用了相同的材料和工艺,光电参数呈现良好的均一性,衬底为SiC材料。失效情况选取以上实验过程中的一种进行分析:5只大功率(1 W)、GaN 基白光LED串联后加350mA 工作电流,置于散热良好的平台上,入温箱,设置温箱温度为120 ℃。已知器件热阻均值10 K/W,则芯片结温为130 ℃,并未超过器件工作时极限温度140 ℃,经过40h后,其中两只出现变黑现象。外观检查发现,灯杯和灌封胶未出现黄化,光透射率良好,灯杯灌封边缘胶体呈现熔融迹象,且在靠近电极一侧有烧蚀现象,甚至出现小洞,可见密封性变差。去除灯杯与灌封胶后,对失效样品表面进行光学照相,如图1所示。用万用表检查时发现,未被黑色物质覆盖的边缘区域仍可以发光。

  在实验结束后分别对变黑与未变黑的样品进行分析测试,采用半导体特性分析仪Agilent4155C 分析电流电压(I-V)特性,浙江大学三色的光学测试系统测试光功率;对样品进行剖面切割制样,分别使用扫描电镜SEM(JEOLJSM 6500F)和X 射线能谱分析仪(7000XEDS)观察形貌和组分分析,确定失效样品的变黑位置和组成。

  

图1 变黑LED 芯片表面的光学照片

| 收藏本文
最新评论

用户名: 密码: