GaN外延片中载流子浓度的纵向分布
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上传人：方文卿、李述体、刘和初、江风益 上传时间： 2013-10-29 浏览次数： 167 |
| 作者 | 方文卿、李述体、刘和初、江风益 |
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| 单位 | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 |
| 分类号 | O472.3 |
| 发表刊物 | 《发光学报》 |
| 发布时间 | 2004年 |
1 引 言
GaN 是一种宽禁带直接带隙为3. 39 eV 的半导体材料, 既耐高温又抗腐蚀。因其已实现的、潜在的甚至是革命性的商业价值, 全球掀起了一股GaN 研究热潮[ 1, 2] 。一些测试仪器生产厂家也快速推出了相应的新型设备, 如ACCENT 就推出了适合宽带隙材料的PN4400 ECV 设备。它不仅可用来测量GaN 外延层的纵向载流子浓度分布, 它提供的许多其他功能, 如I-V、C-V、DP( depletionprofile) 等, 都能为材料的生长及分析提供许多信息。这些信息如能充分利用并最后和LED 芯片结果一一对应起来, 这将很有意义。但是, 用在GaN 上, 该仪器又是一种全新的, 缺乏经验积累,要做到一一对应有待大量的验证。
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