摘要：将负折射率介质层(NRIDL)引入到微腔有机电致发光器件(MOLEDs)中,设计了新型的微腔器件。利用传输矩阵法对此器件的反射率大小、器件厚度对发射峰的影响以及电致发光(EL)光谱性质进行了分析和讨论。结果表明:与普通微腔器件相比,新型微腔器件的谱线宽度显著窄化,峰值强度明显增强,并且受腔体长度的影响较小。这些结果为进一步提高微腔器件的发光色纯度、薄化器件厚度提供了新方法。

　　MOLEDs较OLEDs发光性能明显改善，如增强发光强度、窄化发光光谱、提高器件的发光效率等，受到人们的广泛关注[1～7]。一般来说，腔模与原子跃迁的耦合效率随着电场的增强而增强，随着谐振腔体积的增大而减小[8]。也就是说，随着有效腔长的减小，发射峰的半高宽会减小，器件的发光方向性就会改善[9]。但是，对基于驻波的普通谐振腔来说，由于受到半波极限的限制，腔的尺度不会很小。另外，腔模的电磁场呈正(余)弦分布，局域性也不会很强，所以在普通微腔中微腔结构对发射谱线的影响十分严重。然而，由两种单负材料组成的隧穿共振模不同于一般的谐振腔的腔模，它不受半波极限的限制，并且受结构、入射角度和偏振态的影响很小[10]。因此，利用负折射率材料中能量与相位传播方向相反的特性，可以实现对正折射率材料的相位补偿，从而构成一种新型的谐振腔[11]，且谐振频率跟其厚度无关，此谐振腔可以做得非常薄。本文就是将负折射率介质引入到MOLEDs中，依据薄膜理论研究此新型器件的发光性能，并与普通MOLEDs相应特性作了比较。

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