硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能
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上传人：熊传兵、江风益、方文卿、王立、刘和初、莫春兰 上传时间： 2013-04-22 浏览次数： 59 |
摘要：利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小。
在第一代半导体Si材料上生长第三代半导体GaN材料是一项富有挑战性的研究工作,受到了国内外广泛关注[1~4].可是,Si和GaN之间存在巨大的晶格失配使GaN外延层产生大量的失配位错,巨大的热失配引起外延层降温过程中龟裂,Si衬底与活性N很容易形成无定形的SixNy,不利于单晶GaN膜的
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