图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制
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上传人：张俊兵、林岳明、范玉佩、王书昶、曾祥华 上传时间： 2013-04-11 浏览次数： 49 |
| 作者 | 张俊兵、林岳明、范玉佩、王书昶、曾祥华 |
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| 单位 | 扬州大学物理科学与技术学院;扬州华夏集成光电有限公司 |
| 分类号 | TN312.8 |
| 发表刊物 | 《光电子.激光》 |
| 发布时间 | 2010年 |
摘要：采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。
1引言作为第4代固体照明光源的发光二极管(LED),具有节能、环保、长寿命、多色彩和小体积等诸多优点[1~3],但目前,GaN基LED内量子效率和光的提取效率较低,一定程度上限制了其应用。日常生产中,GaN基LED外延是在普通蓝宝石衬底(CSS,conventional sapphire substrate)上制备的[4
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