摘要：利用板上芯片封装chip on board(COB)技术封装大功率LED，比较分析其在不同散热器上的温度变化规律。研究了不同的热平衡温度对大功率LED光通量、电学参数的影响。在实验过程中，光通量、驱动电压、功率和发光效率都呈现出下降的趋势，并且最终稳定在其热平衡值。研究还发现：对于大功率LED照明系统，光通量、驱动电压、发光效率与散热器温度具有线性关系。在电源接通时，随着散热器温度的升高，LED的反向饱和电流迅速升高。通过线性拟合，得到大功率LED照明系统的光通量温度系数、驱动电压温度系数和光效温度系数。

　　近年来，LED技术得到迅猛发展，其在信号指示、照明、背光源、显示等方面得到广泛的应用。随着芯片技术的提高，LED已经进入大功率的时代。现在1W 级的大功率LED正被照明行业使用，并显示出了光明的前景。LED功率及光效的提高，使得LED灯具代替传统照明方式成为可能。发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的芯片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为pn结。在某些半导体材料的pn结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能，LED就是利用注入式电致发光原理制作的。

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