ICP刻蚀GaP研究及对LED性能的影响
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上传人：王海玲、郭霞、周跃平、沈光地 上传时间： 2013-04-01 浏览次数： 48 |
摘要：深入研究了GaP材料在高密度感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀选择比和刻蚀速率随刻蚀系统的源功率、射频功率、腔室压强的变化规律,即通过改变其中一个参数而保持其它参数不变来得出变化规律;同时将刻蚀GaP材料应用到红光LED制作,即电流阻挡层和表面粗化这两种工艺中,通过大量试验,得到了刻蚀形貌和最优的刻蚀条件,制作阻挡层的最优条件为:BCl3流量比为3/1,ICP功率为600W,RF功率为100W,腔室压强为1.0×10-2Pa;表面粗化时只用BCl3气体刻蚀,表面粗化后LED的光强提高了30%。
1引言GaP材料是高效、高亮度AlGaInP发光二极管的重要材料,AlGaInP发光二极管结构中的厚GaP窗口层起到电流扩展、提高外量子效率和光输出功率的作用[1]。在器件制备过程中,制作电流阻挡层时,需要在上面的GaP层刻蚀出一定图形的凹槽。由于感应耦合等离子体干法刻蚀技术所特有
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