用氢氧化钾溶液进行光化学腐蚀来制造低应变、高效率的发光二极管(LED)。台湾的研究者声称，针对目前广泛应用的激光剥离工艺，他们已经研发了一种替代方法，这种新型工艺在性能上十分优异，可应用于高亮度薄膜LED 的制造中。

　　来自台湾中兴大学的论文通讯作者Chia-Feng Lin 解释说：“ 在InGaN LED 结构上进行传统的激光剥离工艺会增加其位错密度”。根据他的说法，这将会导致器件在反向偏置时漏电流的增加，以及在激光处理过程中所产生的局部升温造成GaN 的损坏。Lin 和他的同事提出的新方法能解决所有这些问题。新方法是在器件中先插入一个Si 掺杂超晶格交替结构的牺牲层，其中InGaN和GaN 层厚度均为3nm。先在氢氧化钾溶液中对这种超晶格结构进行光化学腐蚀，然后用粘贴膜的机械剥离方式来使缓冲层和衬底与器件所有其余部分进行分离。

　　以一个功率为50mW、波长为405nm 的激光二极管作为光源，进行10 分钟的光化学腐蚀处理步骤。Lin说：“InGaN/GaN 牺牲层的横向湿法腐蚀速率比重掺杂硅GaN 层的腐蚀速率要高”。他还补充说，在腐蚀过程中，器件结构中还施加了+1 V 的偏压，来防止顶部InGaN 层的损伤。