1 引言

　　目前，集成电路多采用电互连方式。然而，根据摩尔定律和按比例缩小定律，半导体器件的集成度和速度不断提高，而电互连线的传输速度并不能得到相应提高，所以电互连延迟将会成为制约系统整体性能的主要瓶颈。采用电子工程的方法，诸如铜互连、低K 介质互连、高温超导线互连、三维互连、多层导线、补偿导线、多级采样、放置转发放大器的方法，可以在一定程度上解决电互连的延迟问题[1，2]。但是，这些方法无法解决电磁干扰、电压隔离、时钟分配不精确等问题，并且增加了互连功耗、面积、复杂度，使互连成本增加，不能从根本上解决电互连遇到的问题。光互连是从根本上解决互连问题的方法之一[3，4]。

　　以Si 材料成本低廉的特性，和目前所具有的发展成熟的超大规模集成电路制备技术，使得Si基光电集成电路( OEIC) 成为当今研究的热点[5 ～ 8]。如果在硅片上可能集成光发射和光接收的光电器件，就可以形成OEIC。此项技术有助于使时钟信号以光速在芯片上传输，从而可以解决时钟与数据线间的电磁干扰，以及提高传输速度解决时钟歪斜等问题，全硅光互连将会在大规模系统芯片SOC 中有用武之地[9，10]。

　　采用新加坡特许半导体制造有限公司的0. 35 μm双栅标准CMOS 工艺，研制出了叉指形状的n 阱( n-well) 和p 衬底( p-sub) 结的Si LED发光器件，并测量器件的电学和光学性能。有关采用此项工艺制备的这种结构的硅发光器件还未有报道。

　　2 器件设计及制备

　　在设计过程中，根据器件的特性设计出了如：