Si衬底GaN基LED理想因子的研究
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上传人：刘卫华,李有群 上传时间： 2011-10-24 浏览次数： 162 |
| 作者 | 刘卫华,李有群,方文卿,周毛兴,刘和初,莫春兰,王立,江风益 |
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| 单位 | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 |
| 分类号 | TN304.12 |
| 发表刊物 | 功能材料与器件学报 |
| 发布时间 | 2006年01期 |
GaN半导体材料为直接带隙材料,在信息显示和固态照明等领域具有广阔的应用前景[1]。相对于蓝宝石衬底而言,Si作为GaN发光二极管(LED)衬底有许多优点,如:良好的导电、导热性、晶体质量高、尺寸大、成本低、容易加工等。然而由于Si衬底与GaN外延层之间巨大的晶格失配和热……
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