(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究
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上传人：许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明 上传时间： 2011-08-31 浏览次数： 114 |
| 作者 | 许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明 |
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| 单位 | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 |
| 分类号 | TN325 |
| 发表刊物 | 西安电子科技大学学报（自然科学版） |
| 发布时间 | 2009年06期 |
作为化合物半导体微波功率器件的GaAs MESFET, 在过去20 多年的发展中几乎已经使其性能达到了材料的极限. 20 世纪80 年代初GaA s MESFET 的最高输出功率已达到1?? 4W/ mm( 在8 GHz时) . 虽然后来人们不断尝试各种方法提高其性能, 但是功率密度的提高非常有限, 最高功率密度只达到1?? 57W/ mm( 在1?? 1 GHz时) , 而且这是在牺牲工作频率的情况下获得的.宽带隙氮化物半导体氮化镓( GaN) 和氮化铝( A lN ) 在实验和理论上得到普遍的重视, 它们具有独特的性质……
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