(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究
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上传人：许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明 上传时间： 2011-08-17 浏览次数： 89 |
| 作者 | 许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明 |
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| 单位 | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 |
| 分类号 | TN325 |
| 发表刊物 | 西安电子科技大学学报（自然科学版） |
| 发布时间 | 2009年6期 |
作为化合物半导体微波功率器件的GaAsMESFET，在过去20多年的发展中几乎已经使其性能达到了材料的极限.20世纪80年代初GaAsMESFET 的最高输出功率已达到1.4W/mm(在8GHz时).虽然后来人们不断尝试各种方法提高其性能，但是功率密度的提高非常有限，最高功率密度只达到1.57W/mm(在1.1GHz时)，而且这是在牺牲工作频率的情况下获得的.
宽带隙氮化物半导体氮化镓(GaN)和氮化铝(AlN)在实验和理论上得到普遍的重视，它们具有独特的性质，如高电子迁移率、宽能隙和稳定的温度特性，使它们可用于工作波段从蓝光到紫光的激光器、发光二极管以及高温光电器件，有着巨大潜在的应用前景和市场.而低维半导体材料制备技术分子束外延(MBE)及……
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