深紫外LED的研究进展与产业化应用
2015-10-30
作者：
来源：新兴产业战略智库
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摘要： 随着LED技术不断发展，其发光波长已经由可见光波段拓展到深紫外波段，其技术逐渐成熟和成本下降将使得紫外LED应用更加广泛，甚至可能超越目前的蓝光LED。从深紫外LED的发光特点，制作工艺等方面，重点介绍深紫外LED的目前的研究进展与产业化应用。
1.2 电极制作工艺
芯片工艺，通过光刻、刻蚀漏出N型接触层，通过蒸镀以及合金，N型、P型与电极形成欧姆接触(如图1)，然后通过减薄、裂片，对小芯粒进行分选，倒装到绝缘的硅片上。图2是倒装芯片的结构示意图。
1.3 封装方式
封装方式影响出光效率，而透镜封装和非透镜封装对紫外LED的出光影响尤其很大。另外，不同管座引起的散热和防静电能力不同，也会影响器件寿命，图3为常用的封装形式。
1.4 制造工艺流程
深紫外LED的工艺流程与蓝光基本相同，主要区别是蓝光可以透过顶层P型，而深紫外LED由于p-GaN的吸收，只能采用倒装方法从背面出光。深紫外LED的工艺流程见图4。
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