新世纪LED网讯-据诺贝尔奖官方网站消息，诺贝尔物理学奖于当地时间7日揭晓，赤崎勇(Isamu Akasaki)、天野浩(Hiroshi Amano)和中村修二(Shuji Nakamur) 因发明“高亮度蓝色发光二极管”获得2014年诺贝尔物理学奖。

图：获奖名单公布(来源：央视新闻微博)

　　获奖理由：

　　三位获奖者在发现新型高效、环境友好型光源，即蓝色发光二极管(LED)方面做出巨大贡献。在蓝光LED的帮助下，白光可以以新的方式被创造出来。使用LED灯，我们可以拥有更加持久和更加高效的灯光代替原来的光源。

　　获奖者简介：

　　赤崎勇，1929年生，日本工程学、物理学家，曾任松下电器研究员，现任名城大学终身教授、名古屋大学特聘教授。赤崎勇开发了氮化镓结晶化技术，并完成世界第一个高亮度的蓝色发光二极管。

　　天野浩，1960年生，日本工程学家，专长半导体器件制造，现任名城大学、名古屋大学教授。曾与赤崎勇合作，完成世界第一个高亮度的蓝色发光二极管。

　　中村修二，1954年生，日裔美籍电子工程学家，高亮度蓝色发光二极管与青紫色激光二极管的发明者，世称“蓝光之父”。现任美国加州大学圣塔芭芭拉分校教 授。他于1993年在日本日亚化学工业株式会社(Nichia Corporation)就职期间，基于GaN开发了高亮度蓝色LED，从而广为人知。当时，开发一种蓝色LED被认为是不可能的，此前的20年间只有红 色和绿色LED。中村修二教授的创新使得LED生产商能够生产三原色(红、绿和蓝)LED，从而使实现1600万色成为可能。或许最为重要的是，LED行 业利用这种新技术来开始白色LED(半导体生态光源)的商业化生产。

　　中村修二观点：

　　中村修二(Shuji Nakamur)曾在广州国际照明展同期的新世纪LED高峰论坛上做过《氮化物衬底LED发展现状暨前景》的演讲。

图：广州国际照明展同期的新世纪LED高峰论坛演讲（一）

图：广州国际照明展同期的新世纪LED高峰论坛演讲（二）

　　对于衬底材料的研发仍是LED技术界关注的重点。高功率蓝色发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和全波段InN-GaN等，将会引发新的、更加大的商机，例如，光存储、光通讯等。实现高功率蓝色发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和全波段InN-GaN实用化，并且达到其商品化，这需要合适的 衬底材料。因此，GaN材料及器件发展，需要寻找到与GaN匹配的衬底材料，进一步提高外延膜的质量。

　　科技发展越来越需要把不同体系的材料结合到一起，即称之为异质结材料。应用协变衬底可以将晶格和热失配的缺陷局限在衬底上，并且为开辟新的材料体系打下基础。已提出了多种协变衬底的制备技术，例如，自支撑衬底、键合与扭曲键合、重位晶格过渡层，以及SOI和VTE衬底技术等。预计，在今后的10~20年中，大尺寸的、协变衬底的制备技术将获得突破，并且广泛应用于大失配异质结材料生长及其相联系的光电子器件制造。

　　同时，他认为GaN同质化衬底LED，他指出，在不久的将来，GaN同质化衬底LED将会取代第一代LED，即蓝宝石、碳化硅、硅衬底LED。这将会大大降低LED照明的总成本并且有助于光品质的提升，进而加速LED技术的普及和应用。

图：资料图片(左二：蓝光之父中村修二)(左三：黄光LED之父george craford)

　　中村修二表示，用于激光照明的GaN衬底LED有着非常光明的前景，因激光照明没有光衰，将是未来的大势所趋。

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