近日，在“OFweek第十届LED前瞻技术与市场研讨会”上，来自GT advanced Technologies的副总裁Paul Beaulieu发表了名如何降低LED外延晶片生产成本的主题演讲。

　　LED照明产业一直备受关注，历经数年的爆发式发展伴随着的也是各种质疑声。行业里存在的产能过剩、标准缺失、核心技术匮乏、产品质量良莠不齐、成本控制等问题一直被业内诟病。那么，行业究竟面临着怎样的现状，未来发展趋势将如何?这些无疑已成为此次研讨会讨论的重点。

　　GT advanced Technologies的副总裁Paul Beaulieu

　　GT Advanced Technologies(以下称GTAT)的副总裁Paul Beaulieu在谈到如何降低LED外延晶片生产成本时，提出ASF长晶炉、HVPE长晶设备、SiC长晶炉和Hy离子注入机等相关设备。

　　在谈到ASF长晶炉，Paul介绍这款设备的长晶是采用从下往上生长的技术，而这个技术对于温控系统的精度要求较高，这也是GTAT该设备的核心关键点。另外，值得提起的是ASF长晶炉从研发初期能长晶85公斤的到后来的110公斤再到现在的115公斤，都是在同一台设备上的。对于使用从下往上长晶的方法能在长晶的过程中能迅速排出气泡，不同于一般从上往下的长晶设备。

　　GTAT副总裁Paul称，虽然LED这块市场已经趋于稳定，但是作为上游设备的供应商的GTAT，对于这种能长出大尺寸蓝宝石的设备市场很有信心。因为GTAT知道蓝宝石材料是非常珍贵的，如果能够降低它的成本，肯定能获得市场的肯定。尤其是作为一些行业内的龙头企业，对于这种设备的需求肯定是很明显的。另外Paul表示GTAT官网上有些有关蓝宝石的参数报告，可以让客户有更深的了解。

　　在谈到HVPE设备时，Paul表示它能够提供更快的磊晶方式来生长晶片。这种设备之所以能降低成本是因为采用了统一的多晶片的专用的注射系统，使得成本比传统的MOCVD更低;另外一个就是HVPE加上MOCVD可以改变有些层的磊晶效果，从而大幅提高产能而更加适合工业生产。Paul表示如果外延片厂家用HVPE可以降低25%的磊晶成本，同时能将产能翻番。在投资成本上，Paul表示6台MOCVD+3台HVPE的产能=12台MOCVD的产能。

　　对于最后GTAT还推出了SiC的晶体生长炉，它所生长的碳化硅高温半导体材料将用于电力电子产品设备;同时GTAT还发布了其第一代硅硬质合金升华炉，期望SiC业务将用于设计周期长的新电力设备上。对于HY离子注入机，据Paul介绍该设备拥有多款专利，可以降低市场成本;并且该设备生产的东西更薄，未来的市场将会很大。