与之相比，SMD开发的是名为“SGS(supergrain silicon)”的多晶硅TFT。该方法需要在非晶硅底板上涂布微量的镍作为晶核，通过热处理形成多晶硅。SMD在2008年10月首次公开的40英寸试制品上就使用了SGS工艺。

　　SMD还在开发名为“SLS”的激光退火处理技术。此外，索尼使用基于“dLTA”激光退火技术的微晶硅TFT，开发出了27英寸试制品。

　　为了控制TFT开电流误差导致的亮度不均，在外置驱动IC中内置补偿电路的开发也正在进行之中。主要开发商有柯达、加拿大风险公司IGNIS等。

　　氧化物半导体的再现性存在问题

　　在非晶氧化物半导体中，被认为最有希望用作大型OLED用TFT材料的是IGZO(In-Ga-Zn-O)。IGZO TFT的载子迁移率为10cm2/Vs左右，阈值电压的变化也与LTPS相当。其魅力在于能够利用溅射法制造，应用时无需对液晶面板生产线做较大改动。未来，除溅射法外，IGZO TFT还有望使用涂布工艺制造。这将会使成本进一步降低。

　　积极进行氧化物半导体TFT开发的主要是韩国和台湾的面板厂商。在FPD International 2009上，OLED面板和液晶面板试制品纷纷出现。其中以SMD的19英寸面板尺寸最大。展会上表明采用非晶IGZO的是LG显示器和台湾友达光电(AU Optronics)。三星集团虽未公开氧化物半导体的种类，但该公司一直在使用IGZO TFT进行试制，展会上的展品很可能采用的也是这种材料。

　　日本厂商中，夏普和佳能正在开发IGZO TFT。

　　氧化物半导体的课题在于制造工艺再现性差。但是，“通过在成膜后施加热处理，这一情况有望得到某种程度的改善”(LG显示器Kim)。(编辑：CBE)