TFT有多个候补技术

　　首先来看TFT的改进方法。低成本化的前提是使用与电视液晶面板相同尺寸的玻璃底板来制造TFT。但大型液晶面板使用的非晶硅TFT和中小型液晶面板使用的低温多晶硅(LTPS)TFT都难以直接用于OLED。为此通过改进大型OLED面板的制造工艺，无需激光退火处理的多晶硅TFT以及非晶氧化物半导体TFT等有望得到采用。

　　非晶硅TFT无法使用的原因有二。首先，载子迁移率仅为1cm2/Vs左右，亮度不够。其次，阈值电压随时间变化，会出现显示图像不均匀现象。

　　另一方面，LTPS TFT的载子迁移率高达100cm2/Vs左右，阈值电压的变化也仅为非晶硅TFT的1/10左右，性能方面的问题较少。因此被用于SMD开发的31英寸试制品和正在量产的中小型OLED面板。LTPS TFT的课题在于玻璃底板难以大型化。这是因为LTPS TFT需要在非晶硅成膜完成后，通过激光退火处理进行结晶化处理。这种方法晶体管特性的偏差容易增大。液晶面板中，第4代以上的玻璃底板已经不采用这种方法。

　　因此，各面板厂商正在开发新的TFT材料和制造工艺。具体方式包括改进硅TFT制造工艺和采用非晶氧化物半导体。

　　使硅TFT支持到第6代玻璃底板

　　制造工艺的改进是指不借助激光退火处理的非晶硅晶化方法。

　　例如，本文开篇介绍的LG显示器的15英寸量产品中就采用了名为SPC的高温工艺。该方法需要对非晶硅施加700℃左右的热处理，使之转变为多晶硅。成品的载子迁移率为20cm2/Vs左右，阈值电压变化量与LTPS相当。这种方法虽然存在热处理时会使玻璃底板收缩的问题，“但已经有望支持到第6代玻璃底板”(LG显示器Kim)。也就是说，使用该方法最大可以量产30英寸左右的产品。其面存在的课题是对第8代以上玻璃底板的支持。要想实现这一目的，“还需要继续开发新的装置”(LG显示器Kim)。