第十一届全国MOCVD学术会议于2010年1月12日在江苏苏州召开，为期2天，会议上跟许多专家和学者进行了交流，本次MOCVD探讨的主要应用集中在LED，太阳能/激光器方面的应用也不少。国内MOCVD的总体感觉是：关注的人多，做的人少。

　　我国MOCVD发展有喜有忧

　　目前我国在外延生长制造方面取得长足发展，在不同衬底(Al2O3、Si、SiC、AiN)上外延生长GaN材料，已开发出图形化衬底外延、非极性或半极性外延等，提高内量子效率和外量子效率方面，取得很好的研究成果，已经研发出AlGaN深紫外(260nm-400nm)发光二极管，开发出1W的LED蓝光芯片，做成白光的LED发光效率超过80lm/W，并研制出4元系AlGaInP红光功率LED器件，发光效率约40lm/W，南昌大学研制出有自主知识产权的硅衬底生长GaN，并做出蓝、绿LED芯片。

　　尽管如此，我们看到在LED核心外延设备MOCVD方面仍处于早期发展阶段，在2008年我国有135台生产用MOCVD设备，2009年MOCVD设备将增加100台左右，但遗憾的是，这其中大部分依赖进口，当中很少采用国产设备，武汉迪源光电科技公司总经理董志江表示，“目前用于照明用大功率的特性衬底技术、加工稳定性以及对外延效率的提升率与国外相比，差距逐渐缩小，但是目前生产性外延设备仍主要依赖进口，大陆市场仍缺乏竞争性的国产设备。”

　　我们发现，尽管我们国家早在上世纪80年代就开始研制MOCVD设备，但大都是推出样机后便音信全无，这其中有多方面的原因。一部分专家认为，投资比较分散、无法形成合力，缺乏市场化运作模式是国产MOCVD设备迟迟无法量产的根本性原因。

　　不过在本次会议上我们可喜地看到上游原材料以及MOCVD设备已经有厂家或单位生产，例如江苏南大研制的MO源已经获得广泛应用，中科院半导体所(7×2”)、华中科技大学(与昭信集团合作)都宣布研制出新的自主生产型的MOCVD设备(但都无导入量产)，在此之前，青岛杰生光电和西安电子科技大学也研制出单片、3×2”和6×2”的 MOCVD设备，同时也有不少单位对MOCVD设备的研制表现了浓厚的兴趣，看得出，许多人已经认识到MOCVD国产设备的缺失所带来的挑战和巨大商机。

　　研制MOCVD设备应集中各种资源

　　在本次会议上，多位专家和业内人士发表了他们对研制国产MOCVD设备的看法，中科院西安光机所高鸿楷研究员认为，MOCVD设备的制造和其他工业生产设备的制造不一样，MOCVD设备本身是一种多学科、高精度、高危险性，并且是机械性能与工艺性相结合的。

　　MOCVD设备制造过程中要用的机械学、光学、真空、气体动力、化学、热场分布、三废处理以及电控方面的知识，还有一个条件就是要与MOCVD材料生长工艺的工程师相结合，只有这样才能生产出合格好用的MOCVD设备来。只有懂工艺的人做设备不行，只搞机械的人做这个设备也不行，这就是现在为什么中国有些做科研仪器的单位其他设备做的很好，可是要让他们单独制造一台MOCVD设备却不那么容易，甚至不能完成。