LED作为新型高效的固体光源优势众多，技术发展迅速，放眼全球，世界各国纷纷制定发展计划和政策，力促LED产业发展。目前，全球半导体照明产业形成了以美国、亚洲、欧洲三足鼎立的全球产业格局，世界主要厂商分布在美国、日本、欧盟等地，拥有GaN基蓝、绿光LED、白光技术方面的核心专利，在产业规模上也具有优势。随着LED行业的发展，知识产权纠纷也日趋激烈，专利诉讼屡见不鲜，因此我国作为LED生产和消费的大国，掌握核心技术专利非常重要。

　　目前我国的LED在知识产权状况不容乐观。有调查显示Nichia、CREE、Lumileds、OSRAM、Toyoda Gosei、Toshiba和Rohm等美、日欧企业不仅占据大部分的市场份额，而且还拥有该领域的80%——90%的原创性发明专利，尤其是在材料生长、器件制作等LED产业链的上游区域。据商务部统计仅在2007年LED对美出口涉案LED产品约3.5亿美元，而随着国内LED产业的发展，知识产权的纠纷会有加大的趋势，特别是在LED白光领域将存在更多设计材料、结构等方面的专利纠纷。

　　虽然白光LED产业化核心专利被国外垄断，但随着自主研发的进步和技术发展情况来看，我国LED产业发展机会很大。LED技术发展理论值400lm/W，目前半导体白光照明技术还远不成熟。现有的主流产业化技术LED器件产品光效已达110lm/W，研发已达161lm/W，但要突破200lm/W，可能需要颠覆性技术。目前已经有与主流技术不同的技术路线，例如Si基衬底外延、GaN同质衬底外延、单芯片全光谱白光等。作为半导体照明核心的氮化镓是第三代半导体材料，是一项仅仅发展了二十多年的技术，基础的理论还在研究中，还有几十年的发展历程。氮化镓材料也是攻克半导体光电子技术，如光存储、光传输、光传感、激光器及其他半导体功率器件的重要突破口，对新一代信息技术的发展具有极其重要的战略意义。

　　通过国家半导体照明工程和“十一五”863计划的实施，我国在LED外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已出现自主知识产权的单元技术，且部分核心技术具有原创性，初步形成了从上游材料、芯片制备，中游器件封装及下游集成应用的比较完整的研发与产业体系。如南昌大学的Si衬底LED技术路线从上游衬底和外延方面避开了美国和日本的相关专利，产业化水平国际领先;中科院半导体照明研发中心研制出有特色的新型功率型芯片(条状结构，p、n复合膜双透明电极芯片，激光剥离)，研制出280nm UV LED器件，20mA输出功率达到毫瓦量级，与国际先进水平同步;南京大学提出类太阳光全谱白光LED的原理并研制出原型器件;中科院应化所全磷光型白光OLED发光效率已超过45 lm/W，是国际上较好的研究结果。因此，我国在半导体照明的核心技术方面，已有一定研究基础和发展机会，作为第三代半导体材料，只要加大投入，注重专利布局，有可能避开现有的专利壁垒。随着推进节能减排、优化产业结构、加快发展方式转变，我国半导体照明产业正在迎来自主创新和跨越式发展的重大历史机遇期。

　　LED产业链长，封装与应用领域专利发展较快。目前下游产业链的大部分公司所拥有的实用性新型专利众多，国际巨头很难在下游产品上形成专利垄断，所以产业链的集成创新需产业链协同十分重要。LED在照明领域的应用面临大发展的机遇，这个机遇对国内LED产业的发展来说，不仅仅是产业和经济规模的扩大，更重要的是一个抓住二次创新、建立自主知识产权体系的重大机遇。建立我国在半导体照明应用领域的自主知识产权体系正当其时，而这个目标的实现，必须建立在全行业、全方位、持续不断的科技创新工作基础上。LED上、中、下游产业之间，及与照明行业间需要开展更紧密的合作，从单纯的贸易合作上升到更紧密的技术交流合作和攻关，走共同开发应用市场的发展道路。

　　当前科技部启动的“十城万盏”半导体照明示范工程以及未来的“十二五”规划都更加注重应用端的发展，包括标准与规范建设、消费观念的引导和市场开拓等。在国内“以应用促发展”的发展战略已经达成共识，LED作为朝阳产业一定能迎来健康有序的发展。（编辑：PCL）