美国大厂Cree与日本三菱化学签订GaN基板授权合约
2009-01-20
作者：未知
来源：中国半导体照明网
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摘要： 日前LED上游大厂美国Cree表示，该公司已与三菱化学签订独家授权合约。根据双方协议，三菱化学将可制造、贩卖独立的氮化鎵（GaN）基板，并有权签订类似专利范围的再授权协议（similarly-scoped sublicenses）。...
日前LED上游大厂美国Cree表示，该公司已与三菱化学签订独家授权合约。根据双方协议，三菱化学将可制造、贩卖独立的氮化鎵(GaN)基板，并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicenses)。
据瞭解，三菱化学光电事业部门总经理Yasuji Kobashi在声明中指出，上述授权合约可望帮助该公司在光电产品领域中拓展氮化鎵基板业务。(编辑：XGY)
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