独特的转换器技术有助于实现出色的线路与负载调节，可在传输期间避免移动设备潜在的显示干扰。此外，该转换器还可在负载电流降低时减小交换频率，以保持整个负载电流范围的高效率。TPS65136利用压控振盪器将转换频率保持在高于人耳感知的范围之上，从而避免了因陶瓷输出电容震动而造成的噪音。

　　除TPS65136外，TI 还提供了广泛的OLED 驱动器产品系列。TPS65130与TPS65131均可为可擕式电池供电设备提供高效供电，总效率高达89%。这些器件的输入电压范围为2.7 V 至5.5 V，使 TPS65130/1可直接用鋰离子电池、三节NiMH/NiCd 或硷性电池供电。由于转换器仅需很少的外部元件，因而此类电压与转换器最低1.25MHz 的开关频率相结合能够实现超小型电源应用。

　　TPS65136与TPS65131现已开始批量供货，可通过TI 及其授权分销商进行定购。TPS65136 与TPS65131分别采用16引脚QFN封装，以及小型4毫米x 4毫米24引脚QFN封装。此外，采用小型4毫米x 4毫米24引脚QFN封装的TPS65130也已开始供货，可通过TI及其授权分销商定购。

　　此次开发的有机EL面板的图元为1280×768图元(WXGA)，解析度为123ppi。亮度为300cd/m2，对比度为2万：1。采用底部发光结构，光从TFT底板侧取得。有机EL材料采用的是低分子材料。但红色用磷光材料，绿色和蓝色采用萤光材料。

　　TFT的掩膜数量为7片。图元间距为69μm×207μm，图元电路由2个TFT和1个电容器构成。采用底栅结构，栅极、源极及漏极的电极材料采用Mo，栅极绝缘膜采用SiOx/SiNx，并使用了现有的光刻制造技术。IGZO TFT的迁移率为17.2cm2s，开关比为108以上，亚閾值斜率(S值)为0.28V/decade。

　　三星SDI指出，采用IGZO的TFT其优势在于可以着手量产大尺寸玻璃底板。使用此次的TFT制作方法，甚至可以支援第8代底板。（编辑:FJ）