在平静的表面下，中国的LED产业正在紧锣密鼓地备战美国的“337调查”。

　　近日，据国外媒体报道，美国哥伦比亚大学退休教授Gertrude Neumark Rothschild向美国国际贸易委员会(ITC)提起诉讼，指控全球34家企业在美生产和对美销售的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)产品侵犯其一项专利(美国专利号：5252499)，要求ITC对被起诉人启动“337调查”。3月20日，ITC正式立案。中国共有4家企业涉案。

　　“这起诉讼的结果不仅与涉案的中国LED企业息息相关，还直接决定着我国LED产品在美国市场的命运，危及整个中国LED产业的发展。”国家半导体照明工程研发及产业联盟主任耿博对《科学时报》记者表示：“现在，这4家中国企业已经决定应诉，并正在为5月初于美国举行的首场听证会作积极的准备。”

　　一项弱专利

　　“在得知这起诉讼的相关信息后，商务部就紧急召集了有关企业和行业协会。”国家半导体照明工程研发及产业联盟专利池工作组组长、中国科学院半导体研究所研究员王国宏向《科学时报》记者透露。

　　据商务部统计，2007年我国对美出口约3.5亿美元，同比增长53.9%，涉及我国发光二极管对美出口的企业近百家。如果ITC最终对我国产品发布普遍排除令，则在原告专利有效期内，我国任何企业生产的发光二极管产品及包含发光二极管的下游产品将被全面禁止向美出口。因此，该案对我发光二极管产业及下游产业的影响十分巨大。

　　王国宏告诉记者，国家半导体照明工程研发及产业联盟已经对此次“337调查”所涉及的专利本身进行了技术分析。他表示，该专利是通过P型和N型掺杂制作PN结半导体器件的工艺过程及方法。从技术角度看，这项专利申请时只针对了II-VI族半导体材料，而不针对GaN等III-V族半导体材料，这点在专利中各处均有明确说明。但是，美方的起诉申请刻意避开了此项权利要求，而对权利要求附属的其他权利要求进行保护申诉。在具体工艺条件方面，氢原子(H)的注入温度为250℃，退火温度集中在150℃～500℃，而GaN基氮化物半导体材料的MOCVD生长温度及退火温度大都在700℃以上，并且在P型GaN生长过程中，氢原子的引入是一个非故意的无法避免的过程，与专利中述及的故意引入氢原子以降低杂质补偿程度的技术有本质区别。