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晶电有望首个进入NB用LED背光芯片供应链的台厂

2008-04-03 作者:未知 来源:中国半导体照明网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: LED上游大厂晶电日前宣佈,该公司新LED产品的发光亮度将提升至2000mcd,可望成为第1家进入高阶NB背光的台湾LED芯片厂。

  LED上游大厂晶电日前宣佈,该公司新LED产品的发光亮度将提升至2000mcd,可望成为第1家进入高阶NB背光的台湾LED芯片厂。此举可望打破原先日本日亚化、丰田合成等大厂拥有LED芯片的专利优势,也使得台湾LED背光模组厂有机会採购台厂的LED芯片。

  先前于2007年晶电已经是唯一在蓝光LED芯片亮度可达1700mcd的台厂,而日本大厂在2008年已经将亮度提高到至2000mcd以上,晶电公司内部就有订下研发目标,要再半年内赶上国际大厂LED新品的亮度水准,现阶段已经提前于2008上半年实现目标。

  目前NB用LED背光源的亮度要求高,约莫为1800mcd以上的亮度,而业界开始采用日本大厂的2000mcd亮度LED芯片后,可以使用到高阶产品,并因为更高的发光效益,在相同LED芯片使用数下,LED驱动器用到的电流会更低,将使得笔记型电脑的省电效益更上一层楼。

  晶电看好NB用LED背光源产品的渗透率,预期2008年平均渗透率如果为15%,在现阶段2008年Q1渗透率只有3%的情况下,预估2008年底的渗透率有机会提高到20%~25%,这使得业界可能会发生供应给LED背光源LED芯片的不足现象,这对台湾LED上游厂商来说是一项利多,有机会在LED背光源供应鍊扮演起较以往更重要的角色。(编辑:XGY)

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