一般说来，LED衬底还有哪些呢?

　　1、氮化鎵衬底

　　用于氮化鎵生长的最理想的衬底自然是氮化鎵单晶材料，这样可以大大提高外延片膜的晶体品质，降低位元错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化鎵体单晶材料非常困难，到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过HVPE方法在其他衬底(如Al2O3、SiC、LGO)上生长氮化鎵厚膜，然后通过剥离技术实现衬底和氮化鎵厚膜的分离，分离后的氮化鎵厚膜可作为外延用的衬底。这样获得的氮化鎵厚膜优点非常明显，即以它为衬底外延的氮化鎵薄膜的位元错密度，比在Al2O3、SiC上外延的氮化鎵薄膜的位元错密度要明显低;但价格昂贵。因而氮化鎵厚膜作为半导体照明的衬底之用受到限制。

　　2、 Al2O3衬底

　　目前用于氮化鎵生长的最普遍的衬底是Al2O3，其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟;不足方面虽然很多，但均一一被克服，如很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服，导电性能差通过同侧P、N电极所克服，机械性能差不易切割通过雷射划片所克服，很大的热失配对外延层形成压应力因而不会龟裂。但是，差的导热性在器件小电流工作下没有暴露出明显不足，却在功率型器件大电流工作下问题十分突出。

　　3、SiC衬底

　　除了Al2O3衬底外，目前用于氮化鎵生长衬底就是SiC，它在市场上的佔有率位居第2，目前还未有第三种衬底用于氮化鎵LED的商业化生产。它有许多突出的优点，如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等，但不足方面也很突出，如价格太高、晶体品质难以达到Al2O3和Si那麼好、机械加工性能比较差。 另外，SiC衬底吸收380 nm以下的紫外光，不适合用来研发380 nm以下的紫外LED。由于SiC衬底优异的的导电性能和导热性能，不需要像Al2O3衬底上功率型氮化鎵LED器件采用倒装焊技术解决散热问题，而是采用上下电极结构，可以比较好的解决功率型氮化鎵LED器件的散热问题。目前国际上能提供商用的高品质的SiC衬底的厂家只有美国CREE公司。