LED外延片之衬底材料比较
2008-03-21
作者：
来源：ledinside
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摘要： LEDinside发表知识库新文章[LED外延片之衬底材料比较 ]
在LED外延片(LED外延片)工艺方面，不同的衬底材料，需要不同的磊晶(外延片生长)技术、芯片加工技术和封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。衬底材料的选择主要取决于以下9个方面，衬底的选择要同时满足全部应该有的好特性。所以，目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化鎵研究的衬底材料比较多，但是能用于生产的衬底目前只有二种，即蓝宝石Al2O3和碳化硅SiC衬底。
如果我们来看LED衬底材料，好的材料应该有的特性如下：
1、结构特性好，外延片材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小。
2、介面特性好，有利于外延片料成核且黏附性强。
3、化学稳定性好，在外延片生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。
4、热学性能好，包括导热性好和热失配度小。
5、导电性好，能制成上下结构。
6、光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小。
7、机械性能好，器件容易加工，包括减薄、拋光和切割等。
8、价格低廉。
9、大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。
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