松下发布10000V崩溃电压下的GaN功率管
2007-12-18
作者：
来源：中国半导体照明网译
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摘要： 本周，电气和电子工程师协会(IEEE)在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(IEDM)，会上，来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓(GaN)功率晶体管，其崩溃电压超过10000V，比先前记录高出5倍。
本周，电气和电子工程师协会(IEEE)在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(IEDM)，会上，来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓(GaN)功率晶体管，其崩溃电压超过10000V，比先前记录高出5倍。
新款超高压氮化镓(GaN)功率晶体管在工业及电气功率系统中高电压、低损耗开关设备中有很大应用。
松下负责人声称，针对该项技术公司已经申请了110项国内专利及69项国际专利。（编辑：PCL）
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