发光二极管(Light Emitting Diode;LED)目前已经达到高辉度、多色化与高发光效率的目标，同时也为消费性电子产品与相关应用商品投下更多的市场变化，在平面显示器产品中，LED已经成为手机背光源的主要应用市场，在未来，LED将朝大尺寸平面显示器背光源作发展的主轴，本文将探讨大尺寸平面显示器LED背光源的产品应用及其目前的发展动态。

　　LED在NB的应用其背光源逼近CCFL背光源

　　一. 前言：LED产品应用扩大，市场快速成长

　　发光二极管(Light Emitting Diode;LED)具有省电、轻巧与寿命长等特性，早在1970年代，即以高辉度及多色化作为产品发展的方向，之后GaAsP高亮度红光LED与AlGaAs绿光LED产品开发，直到1991年，AlGaInP(即一般所称的四元LED)高亮度红光、橙光、蓝光与绿光LED相继发表，LED全彩化的梦想逐渐成真，并以高辉度、多色化与高发光效率为努力的目标。

　　LED于手机的应用产值趋缓，目前平面显示器产品中，以7吋LED背光源应用带动LED产业成长，预估未来将以大尺寸平面显示器背光源的应用，为LED市场产值快速成长的关键因素，以下就LED构造介绍，渐进到大尺寸平面显示器产品的应用发展。

　　二. LED制成与技术发展

　　(一) LED上游制成不易，台厂进入门坎高

　　LED由III-V族半导体材料及II-VI族材料组成，但由于II-VI族材料不稳定，因此以III-V族为主，如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)等。LED是由一层N-type材料结合另一层P-type材料所组成。当电流穿越PN体，会因电子与电洞结合，并以光子的型式释放能量产生光源，所散发出来的光波长是由其本身半导体材料所影响。

　　就制造成角度分析，LED可分为上游磊晶生长、中游晶粒制作与下游封装三个阶段。上游制程主要是在单芯片(或晶圆)上沉积长成多层厚度不同的多元材料薄膜，目前所使用的材料属III-V族，包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、氮(N)、磷(P)、砷(As)等。使用的材料与磊芯片将决定LED的波长、亮度、发光效率等，因此技术门坎较高，以日本与美国厂商制程技术较成熟，台湾厂商部份则有晶向、汉昌、兆晶进入。（编辑：PCL）