据测算，当前随着 MOCVD设备在半导体制造业中的广泛应用，全世界每年对MOCVD设备约有300台的市场需求，其中GaN-MOCVD设备每年至少需求120台。我国“十一五”期间约需新增LED芯片产能96亿只/年，需新增MOCVD设备至少50台(按19片机规模)，设备投入将达到8000-10000万美元规模，甚至突破1亿美元。

　　目前世界上 MOCVD设备制造商主要有两家：德国AIXTRON公司(英国THOMAS SWAN公司已被AIXTRON公司收购)和美国VEECO公司(并购美国EMCORE公司)。其中AIXTRON公司(含THOMAS SWAN公司)大约占60-70%的国际市场份额，而VEECO公司占30-40%。其他厂家主要包括日本的NIPPON Sanso和Nissin Electric等，其市场基本限于日本国内。如，日本日亚公司和丰田合成等公司生产的GaN-MOCVD设备不在市场上销售，仅供自用;而日本SANSO公司生产的GaN-MOCVD设备性能优良，但仅限日本市场销售。从设备性能上来讲，日亚公司设备生产的材料质量和器件性能，要远优于AIXTRON和EMCORE的设备。按生产能力计算，GaN-MOCVD设备在全球市场的主要分布为：中国台湾地区48%，美国15%，日本15%，韩国11%，中国大陆7%，欧盟4%。

　　我国最早从事 MOCVD设备研制单位有中科院长春物理所和西安光机所等，但这些设备都只是单片、研究型的MOCVD设备，并且不是针对GaN材料生长的。GaN—MOCVD设备领域的几乎所有专利均被EMCORE和AIxTRON垄断，国内还没有核心专利和成熟的设计技术。这使得我国甚至全世界范围内的GaN基材料和设备的发展受到制约，如何避免侵权是必须首先考虑的难点之一。

　　“九五”期间，中科院半导体所设计了一台适合 GaN材料生长的MOCVD研究型设备;“十五”期间，在“863”和北京市的支持下，该所系统地开展了MOCVD生长室、原料输运、电路控制等方面的设计与研究工作，成功研制出了一次生长3片2英寸衬底并具有自主知识产权的MOCVD设备样机。另外，中国电子科技集团第48研究所也开始了GaN-MOCVD设备以及四元化合物材料生长用MOCVD设备的研制，但其技术基本上是仿制THOMAS SWAN公司;南昌大学也在开展GaN-MOCVD设备研制，并已研制成功研究型单片2英寸ZnO-MOCVD系统(有三项关键技术已申请国家发明专利，已与沈阳聚智科技有限公司进行设备产业化合作);青岛杰生电器有限公司于2002年开发出研究型GaN-MOCVD设备，并在西安电子科技大学用于氮化镓基薄膜材料的生长研究。

　　目前，国内有外延和芯片生产企业 20多家，这些企业已累计引进30多台MOCVD，总投资在4000万美元左右，主要购买德国AIXTRON和美国EMCORE两家供应商的MOCVD设备，以6片和9片机居多，每台设备的价格在70万美元到100万美元。 近期有企业引进19片和21片机，并已有企业开始装备VEECO公司生产的比较先进的24片MOCVD设备。

　　为了满足大规模生产的要求， MOCVD设备将向更大型化方向发展，一次生产24片2英寸外延片的设备已经有商品出售，今后将会生产更大规模的设备。此外，面向特色应用的专用MOCVD高档设备产品的市场需求，也将有所增长。不过这些设备一般不出售，无法从市场上买到。

　　目前， LED采用荧光粉实现白光的三种方法尚未完全成熟，除了蓝光激发黄色荧光粉、蓝光激发绿色和红色荧光粉外，紫外光(370nm-380nm)或紫光(380nm-410nm)激发RGB三色荧光粉具有更好的显色性。与蓝光器件相比，紫外或紫光发光器件有着更广阔的应用领域，已经引起学术界和工业界的重视。目前，紫外LED外延技术正在探索中，国际上也没有现成的外延设备出售，可以预见，紫外LED用MOCVD设备将成为未来新的发展方向。（编辑：PCL）