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ledinside发表知识库新文章[浅谈InN材料的电学特性]
https://www.alighting.cn/news/20080506/105652.htm2008/5/6 0:00:00
InN是性能优良的半导体材料。最近研究表明：InN的禁带宽度也许是0.7ev左右，而不是先前普遍接受的1.9ev，所以通过调节合金组分可以获得从0.6ev(InN)到6.2e
https://www.alighting.cn/news/20091126/V21879.htm2009/11/26 16:03:13
gan、aln、InN及其合金等材，是作为新材料的gan系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展gan基技术的重要目标。评价衬底材料要综
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
与aln, InN共同构成组分三角形，可以合成三元系的ingan，aigan，和四元系的alingan材料，可制成高效蓝、绿光发光二极管和激光器，并可扩展到白光，将替代人类沿用至
https://www.alighting.cn/news/20111123/85634.htm2011/11/23 14:17:08
