浅谈InN材料的电学特性
2008-05-06
作者：
来源：ledinside
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摘要： LEDinside发表知识库新文章[浅谈InN材料的电学特性]
LEDinside发表知识库新文章[浅谈InN材料的电学特性]
引述:
一、制造InN薄膜目前存在的难题
制备高品质的InN体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发InN材料应用的前提。但是，制造InN薄膜有两大困难。
一是InN材料的离解温度较低，在600 ℃左右就分解了，这就要求在低温生长下InN ,而作为氮源的NH3的分解温度较高，要求1000℃左右，这是InN生长的一对矛盾，因此采用一般的方法很难制备单晶体材料，目前制造InN薄膜最常用 的方法是MBE、HVPE、磁控溅射、MOCVD技术。
网址:
http://www.ledinside.com/tw/led_mat_InN_200805
来源:
LEDinside（编辑:FJ）
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