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vishay超亮白光smd led采用InGaN技术

vishay日前宣布推出新系列超亮白光smd led,这些器件采用高效的InGaN技术,可在0603的占位面积上实现出色的亮度。

  https://www.alighting.cn/news/20070519/120664.htm2007/5/19 0:00:00

欧司朗光电半导体将扩大两家芯片厂规模和产能

欧司朗光电半导体在扩大两家芯片制造厂规模的同时,还将它们升级为 6 英寸晶圆制造基地,从而大幅提高产量。其中,马来西亚槟城基地正在兴建一座生产大楼,而德国雷根斯堡基地则正在重新划

  https://www.alighting.cn/news/20110307/115716.htm2011/3/7 16:35:42

欧司朗扩大产能 转移并扩展芯片制造

欧司朗两座芯片制造厂将转成 6寸晶圆厂,同时扩展这两个厂的规模,借此大幅提升产能。

  https://www.alighting.cn/news/20110311/115954.htm2011/3/11 9:43:05

首尔半导体公布其对InGaN系led专利的立场

首尔半导体日前宣布,美国得克萨斯法院经审议决定,活性层使用InGaN的led在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN是组成白、蓝、绿色和紫外光led活跃层的必要物质。

  https://www.alighting.cn/news/20090227/103771.htm2009/2/27 0:00:00

vishay新型smd蓝光led提供高效InGaN技术

日前,vishay intertechnology, inc.(威世)宣布推出基于蓝宝石(sapphire)的新系列高强度蓝光smd led,这些器件以低于标准InGaN蓝光le

  https://www.alighting.cn/news/20070622/117695.htm2007/6/22 0:00:00

plessey开发出世界上首个硅基InGaN红光led

日前,英国microled公司plessey发布新闻稿称,宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光led。

  https://www.alighting.cn/news/20191209/165507.htm2019/12/9 9:29:51

华灿光电股份有限公司王江波: 创新性光源——InGaN基led芯片技术研究与展望

王江波也指出了ingam基led芯片技术研究重点与挑战,主要表现在减弱或消除droop效应、提高提取效率、绿光led效率提升等三个方面。

  https://www.alighting.cn/news/20140610/87370.htm2014/6/10 11:11:44

国产芯片销售首次突破35亿元

led国产芯片销售首次突破35亿元。

  https://www.alighting.cn/news/20060412/91067.htm2006/4/12 0:00:00

欧司朗直接发光的50 mw绿色InGaN激光器试验成功

13日,欧司朗光电半导体发布新闻稿表示,成功研发直接发光绿色氮化铟镓(InGaN) 激光,该款激光的光输出高达 50 mw,发射波长为 515 nm 的真绿光线。与目前采用倍频技

  https://www.alighting.cn/news/20090817/119772.htm2009/8/17 0:00:00

晶能光电成功研制硅衬底高功率InGaN led

m芯

  https://www.alighting.cn/news/20090921/120400.htm2009/9/21 0:00:00

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