华灿光电股份有限公司王江波: 创新性光源——InGaN基LED芯片技术研究与展望
2014-06-10
作者：shayne
来源：新世纪LED网
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摘要： 王江波也指出了InGaM基LED芯片技术研究重点与挑战，主要表现在减弱或消除droop效应、提高提取效率、绿光LED效率提升等三个方面。
【新世纪LED网讯】2014年6月10日上午，在2014新世纪LED高峰论坛 “芯片、封装技术与模块化” 技术峰会上，华灿光电股份有限公司研发经理王江波先生为观众阐述了有关创新性InGaN基LED芯片的技术研究。
讲座伊始，王江波与观众们分享了半导体市场发展趋势。半导体照明自发明蓝光以后，从2000年开始它的发展便非常迅速，该行业的全球市场发展同样如此。国内LED市场趋势与全球一致，国内芯片需求量增长显著，背光市场承接产业转移增速迅猛，照明市场从2012年开始成为增长主力。
随后，王江波向观众发表了半导体LED技术发展现状的相关报告。他认为，高品质LED的技术要素包括四方面：外延材料、芯片工艺、封装技术和荧光粉。他还提到，LED效率提升的重点是：研究并减弱droop效应，研究并提，LED高温表现等。
演讲末尾，王江波也指出了InGaM基LED芯片技术研究重点与挑战，主要表现在减弱或消除droop效应、提高提取效率、绿光LED效率提升等三个方面。
演讲PPT下载：http://bbs.ledth.com/showtopic-45380.aspx
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