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全球GaN芯片产能中国增长最快

GaN 芯片的产能主要集中在台湾和日本,但中国大陆和韩国产能增长迅速,也成为重要的生产区域。

  https://www.alighting.cn/news/20060831/92234.htm2006/8/31 0:00:00

硅衬底GaN基大功率led芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24

三星康宁展示1到6英寸的GaN基板

scpm公司正在将GaN基板作为可实现高效率led芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用GaN基板。

  https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09

bridgelux募集6000万美元用于GaN外延技术研发

bridgelux新近募集6000万美元,声明将攻关关键核心技术,如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术,以继续拓展其在固态照明市场中的地位。

  https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54

英国专家用半极性GaN生长高效益led

英国雪菲尔大学(sheffield university)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(applied physics letter)期刊上发布在半极性氮化镓(ga

  https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40

东芝与普瑞光电合作制造出8英寸矽衬底led芯片

虽然东芝和普瑞光电合作仅数月,他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN,所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v,电流为350ma的情况下该芯片功耗为61

  https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52

cree宣布与三菱化学签订GaN基板授权合约

led上游芯片大厂cree, inc. 15日发布新闻稿宣布,该公司已与三菱化学(mitsubishi chemical corp., mcc)签订独家授权合约。根据双方协

  https://www.alighting.cn/news/20090116/117883.htm2009/1/16 0:00:00

投资火热,GaN市场2013年起飞

自2011年以来,50-250伏特(v)负载点(point-of-load)及高阶功率元件的市场需求不断高涨,而目前新的GaN元件规格已能符合此一耐压区间,将借更优异的材料特

  https://www.alighting.cn/news/20120730/89039.htm2012/7/30 10:53:31

led照明迎来新增长 芯片原材料镓和铟金属受益

led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前,基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价

  https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29

松下开发出GaN衬底大功率白光led

2007年3月2日,松下(panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光led芯片,其在350ma下的总辐射通量为355mw,外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月

  https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00

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