东芝与普瑞光电合作制造出8英寸矽衬底LED芯片
2012-05-16
作者：LEDth
来源：新世纪LED网
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摘要： 虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN，所得LED芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1V，电流为350mA的情况下该芯片功耗为614mW。
虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN，所得LED芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1V，电流为350mA的情况下该芯片功耗为614mW。
合作中，东芝除了提供自己先进的矽制造工艺和一些生产技术的研发支持外，东芝还对普瑞光电进行了股权投资，看好普瑞在固态照明领域的技术创新实力。该项投资将进一步促进双方在固态照明行业为降低成本所做的努力。
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