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kyma授权gtat使用等离子体汽相淀积技术

kyma technologies, inc.授权gt advanced technologies使用等离子体汽相淀积技术,该解决方案扩大了gt可用于生产低成本、开盒即用发光二极管

  https://www.alighting.cn/news/20140306/111075.htm2014/3/6 14:58:15

[外延芯片]movcd生长氮化外延层的方法

一种用movcd生长氮化外延层和氮化发光二极管结构外延片的方法,它采用mocvd技术

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15

led的外延片生长技术介绍

延片技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机化学气相淀积(metal-organicchemicalvapordeposition,简称 mocvd)技术生长iii-v

  https://www.alighting.cn/news/2009118/V21609.htm2009/11/8 15:37:27

led外延片技术发展趋势及led外延片工艺

化学气相淀积(简称mocvd)技术生长iii-v族,ii-vi族化合及合金的薄层单晶的主要方

  https://www.alighting.cn/news/20110314/91282.htm2011/3/14 9:20:04

aeroxide气相法氧化铝在荧光灯中的应用(图)

赢创德固赛公司aeroxide?气相法氧化铝产品具有许多特殊的理化学特性,例如,纳米级颗粒,高纯度,低含水量,这些特性都成为当今高质量荧光灯涂层解决方案中至关重要的一部分。

  https://www.alighting.cn/news/200955/V19596.htm2009/5/5 9:15:45

氮化衬底材料与半导体照明的应用

外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用led,以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化衬底材料的评价因素及研究与开发”文

  https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07

tdi宣布量产4吋gan磊外延片和aln磊外延

美国化合半导体衬底大厂technology and devices international inc.(tdi)日前宣布,该公司推出4英吋,约100毫米的gan磊外延片和al

  https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00

奇力光电led外延芯片项目落户佛山南海

据介绍,台湾奇力光电在广东南海投资的led外延芯片项目占地40亩,计划在3年内投入2亿美元,引入50台mocvd(金属有机化学气相沉积),项目将在2012年投产。

  https://www.alighting.cn/news/20110517/115343.htm2011/5/17 17:29:33

led外延片(外延)的成长工艺

今天来探讨led外延片的成长工艺,早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延

  https://www.alighting.cn/news/20080703/91561.htm2008/7/3 0:00:00

联网助力路灯管理

通过与南京理工大学的深入交流,基于“联网”应用的大丰市“城市照明无线监控系统”方案成功出炉,南京理工大学研究小组负责监控系统的中心平台和数据采集点设备,大丰分公司负责3g无

  https://www.alighting.cn/news/2011216/n068030322.htm2011/2/16 19:07:55

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