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氧化将成为创造高性能led的突破点

据国外媒体报道,德国科学家采用氢进行掺杂的方法制造出更高性能的led和其他半导体。他们称,在使用氧化制造半导体时,合理控制氢原子将成为一个关键。半导体掺杂是激活半导体的必要条

  https://www.alighting.cn/resource/20081216/128644.htm2008/12/16 0:00:00

中科院物理所独创硅基氧化单晶材料及光电子器件技术

型n-zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构,研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创

  https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00

不使用荧光粉的白光leds现身

2005年7月13日:一些专家认为,gan可以在氧化(zno)衬底生长以制作无需荧光粉的白光leds,这种器件有可能获得更大的光输出并改善器件效能。

  https://www.alighting.cn/resource/20050930/128446.htm2005/9/30 0:00:00

科学家用纳米线薄片制造出可挠式led

韩国亚洲大学(ajouuniversity)的纳米材料及显示器专家最近利用大量生产的氧化(zno)纳米线(nanowire)所构成的纸状氧化薄片,发展出一种制备氧化/有机复

  https://www.alighting.cn/resource/20091216/128756.htm2009/12/16 0:00:00

zno的用途及其薄膜的制备方法

阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原

  https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19

硅衬底硫化薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化薄膜与硫化粉末在晶体结构上存在差

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06

纳米氧化铝的分散(图)

本文论述了德国气相法纳米氧化铝的特性和其分散方法。

  https://www.alighting.cn/resource/200955/V19598.htm2009/5/5 9:35:32

aeroxide气相法氧化铝在荧光灯中的应用(图)

赢创德固赛公司aeroxide?气相法氧化铝产品具有许多特殊的物理化学特性,例如,纳米级颗粒,高纯度,低含水量,这些特性都成为当今高质量荧光灯涂层解决方案中至关重要的一部分。

  https://www.alighting.cn/resource/200955/V19596.htm2009/5/5 9:15:45

氧化白光led

台湾的科学家最近以氧化(zno)/蓝光有机材料复合薄膜,制作出白光发光二极管(led)。他们利用水热法(hydrothermal method),成功地在蓝光有机发光薄膜上生

  https://www.alighting.cn/resource/20091113/128752.htm2009/11/13 0:00:00

新型led荧光粉原料——氮氧化物[3-4]

led半导体照明是当今世界科技研究的重点,荧光粉是制作led的重要成分。经过多次的试验探讨,led荧光粉终于都发现了一类热稳定性和和化学稳定性优异的红色荧光粉——氮氧化物[3-4

  https://www.alighting.cn/resource/20110114/128992.htm2011/1/14 10:23:12

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