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采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
3)衬底上生长的algan/gan超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。x射线衍射结果表明,gan基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-x
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金属
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35
族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小，同时符合gan磊晶制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光led的关键材料
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40
族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小，同时符合gan 磊晶制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光led的关键材
https://www.alighting.cn/2011/9/28 15:01:17
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的gan基led的结构和工作原理，以及为改善gan基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机制
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
一份介绍led晶片(芯片)制程与教程的技术资料，分享给大家，欢迎下载查看。
https://www.alighting.cn/resource/2013/3/12/14276_64.htm2013/3/12 14:27:06
一份介绍led晶片(芯片)制程与教程的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载查看。
https://www.alighting.cn/resource/20130312/125902.htm2013/3/12 13:17:06
