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利用低压mocvd系统,在蓝宝石衬底上外延生长了InGaN/GaN多量子阱蓝紫光led结构材料。研究了生长温度对有源层InGaN/GaN多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k～16
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14
本文档为台湾新世纪green ingangan led chip l0(9?11)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127380.htm2011/7/28 16:55:31
本文档为台湾新世纪green InGaN/GaN led chipl0(9×11)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127366.htm2011/7/29 15:08:48
本文档为台湾新世纪blue InGaN/GaN ledchip e0(8·10)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127368.htm2011/7/29 14:40:46
本文档为台湾新世纪blue InGaN/GaN led chip p2 (45)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127369.htm2011/7/29 14:21:46
InGaN/GaN 基led 的红光部分发光效率较低，导致相关白光led 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光led 的效率.最近，mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝
https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40
本文档为台湾新世纪green InGaN/GaN led chip e0(8×10)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127367.htm2011/7/29 14:55:59
本文档为台湾新世纪blue InGaN/GaN led chip i3 (15x15)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127370.htm2011/7/29 14:12:29
